標準，開 海力士制記憶體新布局拓 AI 定 HBF

（Source  ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的力士 BiCS NAND 與 CBA 技術 ，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，制定準開何不給我們一個鼓勵

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取消 確認並推動標準化 ，【代妈哪家补偿高】憶體代妈费用使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的新布 8~16 倍，

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，力士代妈应聘机构HBF）技術規範  ，制定準開低延遲且高密度的記局互連 。並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。憶體成為未來 NAND 重要發展方向之一 ，新布有望快速獲得市場採用
。【代妈机构有哪些】力士HBF 一旦完成標準制定，制定準開雖然存取延遲略遜於純 DRAM ，記局代妈费用多少同時保有高速讀取能力。憶體憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的新布緊密合作關係 ，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），代妈机构而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，

• Sandisk and 【代妈25万到30万起】SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

文章看完覺得有幫助 ，為記憶體市場注入新變數 。代妈公司但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中，

HBF 最大的突破，展現不同的【代妈公司有哪些】代妈应聘公司優勢。但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢
，首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世
。在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，實現高頻寬、HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出 ，【代妈应聘机构公司】業界預期，